HH-1 毛細管柱分析氫氣中氯化氫含量
簡單介紹
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HH-1 毛細管柱分析氫氣中氯化氫含量的詳細介紹
毛細管柱分析氫氣中氯化氫含量
毛細管柱分析氫氣中氯化氫含量 詳細信息:
半導體材料(尤其是集成電路工業)是電子信息產業的基礎和核心,是國民經濟現代化與信息化建設的先導與支柱產業.半導體硅單晶材料則是半導體工業的重要的主體功能材料,多晶硅是生產單晶硅的直接原料,是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料,是為重要的優良半導體材料,回收氫氣作為多晶硅生產的重要原料還原劑和載流氣體,回收氫氣的品質直接影響著多晶硅的品質. 多晶硅的生產技術主要為改良西門子法和硅烷法.西門子法通過氣相沉積的方式生產柱狀多晶硅,為了提高原料利用率和環境友好,在前者的基礎上采用了閉環式生產工藝即改良西門子法.它是由德國Siemens公司發明并于1954年申請了1965年左右實現了工業化.經過幾十年的應用和發展,西門子法不斷完善,先后出現了代、第二代和第三代,第三代多晶硅生產工藝即改良西門子法,它在第二代的基礎上增加了還原尾氣干法回收系統、SiCl4回收氫化工藝,實現了完全閉環生產,是西門子法生產高純多晶硅技術的新技術.硅在西門子法多晶硅生產流程內部的循環利用. 干法回收氫中的總碳,氧氣,氮氣等,氧與硅的親和力很強,在高溫工作條件下易氧化生成二氧化硅,在多晶硅生產過程中產生加層現象;總碳會造成多晶硅成品中碳含量升高,所以回收氫氣的品質控制有重要意義.干法回收系統回收的氫氣中氯化氫含量高,則在多晶硅生產過程的前期出現倒爐現象,后期可能出現磷超標的現象,嚴重影響多晶硅的品質;氯化氫的存在,若遇到水分會造成管道腐蝕,降低設備壽命,對回收氫氣中氯化氫含量的有效控制,對于提高多晶硅品質、節約生產成本,目前多晶硅行業中尚無統一標準的檢測方法.目前測定氯化氫的方法有離子色譜法,分光光度法,紅外光譜法,采用離子色譜法時需將氯化氫轉化為氯離子進行檢測,操作過程繁瑣,耗氣量大耗時長等缺點;采用分光光度法,操作繁瑣,誤差大,穩定時間長等;傅里葉紅外光譜法分析方法,回收氫氣中的其他氣體干擾其測定.基于以上原因所建立回收氫氣中氯化氫含量的測定氣相色譜法,對多晶硅生成管控產生重要意義.
毛細管柱分析氫氣中氯化氫含量 詳細信息:
固定相:甲基聚硅氧烷
型號:HH-1
規格:30m*0.53mm*1.5um
毛細管柱分析氫氣中氯化氫含量 譜圖:半導體材料(尤其是集成電路工業)是電子信息產業的基礎和核心,是國民經濟現代化與信息化建設的先導與支柱產業.半導體硅單晶材料則是半導體工業的重要的主體功能材料,多晶硅是生產單晶硅的直接原料,是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料,是為重要的優良半導體材料,回收氫氣作為多晶硅生產的重要原料還原劑和載流氣體,回收氫氣的品質直接影響著多晶硅的品質. 多晶硅的生產技術主要為改良西門子法和硅烷法.西門子法通過氣相沉積的方式生產柱狀多晶硅,為了提高原料利用率和環境友好,在前者的基礎上采用了閉環式生產工藝即改良西門子法.它是由德國Siemens公司發明并于1954年申請了1965年左右實現了工業化.經過幾十年的應用和發展,西門子法不斷完善,先后出現了代、第二代和第三代,第三代多晶硅生產工藝即改良西門子法,它在第二代的基礎上增加了還原尾氣干法回收系統、SiCl4回收氫化工藝,實現了完全閉環生產,是西門子法生產高純多晶硅技術的新技術.硅在西門子法多晶硅生產流程內部的循環利用. 干法回收氫中的總碳,氧氣,氮氣等,氧與硅的親和力很強,在高溫工作條件下易氧化生成二氧化硅,在多晶硅生產過程中產生加層現象;總碳會造成多晶硅成品中碳含量升高,所以回收氫氣的品質控制有重要意義.干法回收系統回收的氫氣中氯化氫含量高,則在多晶硅生產過程的前期出現倒爐現象,后期可能出現磷超標的現象,嚴重影響多晶硅的品質;氯化氫的存在,若遇到水分會造成管道腐蝕,降低設備壽命,對回收氫氣中氯化氫含量的有效控制,對于提高多晶硅品質、節約生產成本,目前多晶硅行業中尚無統一標準的檢測方法.目前測定氯化氫的方法有離子色譜法,分光光度法,紅外光譜法,采用離子色譜法時需將氯化氫轉化為氯離子進行檢測,操作過程繁瑣,耗氣量大耗時長等缺點;采用分光光度法,操作繁瑣,誤差大,穩定時間長等;傅里葉紅外光譜法分析方法,回收氫氣中的其他氣體干擾其測定.基于以上原因所建立回收氫氣中氯化氫含量的測定氣相色譜法,對多晶硅生成管控產生重要意義.
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